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温补晶振

]资料
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产品名称: 温补晶振
产品型号: TCXO VC-TCXO
产品厂商: Ractron,Citizen,Cmac,NDK,Rakon,Raltron,TDK,Vectron


简单介绍

温补晶振即温度补偿晶体振荡器(TCXO),是通过附加的温度补偿电路使由周围温度变化产生的振荡频率变化量削减的一种石英晶体振荡器。温补晶振对温度稳定性的解决方案采用了一些温度补偿手段, 主要原理是通过感应环境温度,将温度信息做适当变换后控制晶振的输出频率,达到稳定输出频率的效果,传统的温补晶振TCXO 是采用模拟器件进行补偿,随着补偿技术的发展,很多数字化补偿大温补晶振TCXO开始出现叫DTCXO。

温补晶振的详细介绍

温补晶振即温度补偿晶体振荡器(TCXO),是通过附加的温度补偿电路使由周围温度变化产生的振荡频率变化量削减的一种石英晶体振荡器。

温补晶振对温度稳定性的解决方案采用了一些温度补偿手段, 主要原理是通过感应环境温度,将温度信息做适当变换后控制晶振的输出频率,达到稳定输出频率的效果,传统的温补晶振TCXO 是采用模拟器件进行补偿,随着补偿技术的发展,很多数字化补偿大温补晶振TCXO 开始出现,这种数字化补偿的温补晶振TCXO 又叫 DTCXO,用单片 机 进行补偿时我们称之为 MCXO,由于采用了数字化技术,这一类型的晶振再温 度特性上达到了很高的精度,并且能够适应更宽的工作温度范围。

 温补晶振中,对石英晶体振子频率温度漂移的补偿方法主要有直接补偿和间接补偿两种类型

  (1)直接补偿型 直接补偿型温补晶振TCXO是由热敏电阻和阻容元件组成的温度补偿电路,在振荡器中与石英晶体振子串联而成的。在温度变化时,热敏电阻的阻值和晶体等效串联电容容值相应变化,从而抵消或削减振荡频率的温度漂移。该补偿方式电路简单,成本较低,节省印制电路板(PCB)尺寸和空间,适用于小型和低压小电流场合。但当要求晶体振荡器精度小于±1pmm时,直接补偿方式并不适宜。

  (2)间接补偿型 间接补偿型又分模拟式和数字式两种类型。模拟式间接温度补偿是利用热敏电阻等温度传感元件组成温度-电压变换电路,并将该电压施加到一支与晶体振子相串接的变容二极管上,通过晶体振子串联电容量的变化,对晶体振子的非线性频率漂移进行补偿。该补偿方式能实现±0.5ppm的高精度,但在3V以下的低电压情况下受到限制。数字化间接温度补偿是在模拟式补偿电路中的温度—电压变换电路之后再加一级模/数(A/D)变换器,将模拟量转换成数字量。该法可实现自动温度补偿,使晶体振荡器频率稳定度非常高,但具体的补偿电路比较复杂,成本也较高,只适用于基地站和广播电台等要求高精度化的情况。

  温补晶振   SMD 5X7MM TCXO VC-TCXO  
一、温补晶振 技术规格        
指标参数   参数值   备注  
  频率范围 5-200MHZ   可定制  
  输出波形 Sine HCMOS    
输出 输出幅度 Vp-p=0.8V / 可定制  
特性 输出负载 10KΩ 15pF    
  谐波/占空比  -25dBc 45-55%    
  杂散抑制  -70dBc  -70dBc    
  温度特性 ±0.5-±2.5ppm    @25℃  
  年老化 ±0.5-±1.0ppm      
  负载特性 ±0.05ppm Max   Load±10%  
频率 电源特性 ±0.05ppm Max   VCC ±5%  
稳定 相位噪声         
   @10Hz  ≤-115dBc/Hz      
     @100Hz  ≤-125dBc/Hz      
     @1KHz  ≤-130dBc/Hz    @10MHz  
     @10KHz  ≤-140dBc/Hz      
     @100KHz  ≤-145dBc/Hz      
频率 调节方式 电压调节       
调节 压控电压范围 按照客户要求      
  频率调节范围 ±4ppm   可定制  
电源 工作电压 3.3V / 5V      
输入 工作电流 10mA Max    @10MHz  
储存温度    -55 ﹢125 ℃      
二、温补晶振     温度特性ppm        
工作温度范围 ±0.5 ±1.0 ±1.5 ±2.5  
 -20 ﹢60 ℃     O     O     O     O  
 -30 ﹢70 ℃     O     O     O     O  
 -40 ﹢85 ℃     O     O     O     O  
           
  温补晶振 DIP 12.7X12.7MM TCXO VC-TCXO  
一、温补晶振 技术规格        
指标参数   参数值     备注
  频率范围 1-200MHZ     可定制
  输出波形 Sine TTL HCMOS  
输出 输出幅度 0-7dBm 标准 标准 可定制
特性 输出负载 50Ω 15pF 15pF  
  谐波/占空比  -30dBc 45-55% 45-55%  
  杂散抑制  -70dBc  -70dBc  -70dBc  
  温度特性 ±0.5-±2.0ppm      @25℃
  年老化 ±0.5-±1.0ppm      
  负载特性 ±0.05ppm Max     Load±10%
频率 电源特性 ±0.05ppm Max     VCC ±5%
稳定 相位噪声         
   @10Hz  ≤-120dBc/Hz      
     @100Hz  ≤-135dBc/Hz      
     @1KHz  ≤-140dBc/Hz      @10MHz
     @10KHz  ≤-145dBc/Hz      
     @100KHz  ≤-145dBc/Hz      
频率 调节方式 电压调节/机械微调/NC不带    
调节 压控电压范围 按照客户要求      @电压调节
  频率调节范围 ±2-±8ppm     可定制
电源 工作电压 3.3V / 5V      
输入 工作电流 15mA Max      @10MHz
储存温度    -55 ﹢125 ℃      
二、温补晶振     温度特性ppm        
工作温度范围 ±0.5 ±1.0 ±1.5 ±2.0  
 -20 ﹢60 ℃     O     O     O     O  
 -30 ﹢70 ℃     O     O     O     O  
 -40 ﹢85 ℃     O     O     O     O  
           
  温补晶振 DIP 21.0X13.0MM TCXO VC-TCXO  
一、温补晶振 技术规格        
指标参数   参数值     备注
  频率范围 1-200MHZ     可定制
  输出波形 Sine TTL HCMOS  
输出 输出幅度 0-7dBm 标准 标准 可定制
特性 输出负载 50Ω 15pF 15pF  
  谐波/占空比  -30dBc 45-55% 45-55%  
  杂散抑制  -70dBc  -70dBc  -70dBc  
  温度特性 ±0.5-±2.0ppm      @25℃
  年老化 ±0.5-±1.0ppm      
  负载特性 ±0.05ppm Max     Load±10%
频率 电源特性 ±0.05ppm Max     VCC ±5%
稳定 相位噪声         
   @10Hz  ≤-120dBc/Hz      
     @100Hz  ≤-135dBc/Hz      
     @1KHz  ≤-140dBc/Hz      @10MHz
     @10KHz  ≤-145dBc/Hz      
     @100KHz  ≤-145dBc/Hz      
频率 调节方式 电压调节/机械微调/NC不带    
调节 压控电压范围 按照客户要求      @电压调节
  频率调节范围 ±2-±8ppm     可定制
电源 工作电压 3.3V / 5V      
输入 工作电流 15mA Max      @10MHz
储存温度    -55 ﹢125 ℃      
二、温补晶振     温度特性ppm        
工作温度范围 ±0.5 ±1.0 ±1.5 ±2.0  
 -20 ﹢60 ℃     O     O     O     O  
 -30 ﹢70 ℃     O     O     O     O  
 -40 ﹢85 ℃     O     O     O     O  
           
  温补晶振 SMD 21.3X11.7MM TCXO VC-TCXO  
一、温补晶振 技术规格        
指标参数   参数值     备注
  频率范围 1-200MHZ     可定制
  输出波形 Sine TTL HCMOS  
输出 输出幅度 0-7dBm 标准 标准 可定制
特性 输出负载 50Ω 15pF 15pF  
  谐波/占空比  -30dBc 45-55% 45-55%  
  杂散抑制  -70dBc  -70dBc  -70dBc  
  温度特性 ±0.5-±2.0ppm      @25℃
  年老化 ±0.5-±1.0ppm      
  负载特性 ±0.05ppm Max     Load±10%
频率 电源特性 ±0.05ppm Max     VCC ±5%
稳定 相位噪声         
   @10Hz  ≤-120dBc/Hz      
     @100Hz  ≤-135dBc/Hz      
     @1KHz  ≤-140dBc/Hz      @10MHz
     @10KHz  ≤-145dBc/Hz      
     @100KHz  ≤-145dBc/Hz      
频率 调节方式 电压调节/机械微调/NC不带    
调节 压控电压范围 按照客户要求      @电压调节
  频率调节范围 ±2-±8ppm     可定制
电源 工作电压 3.3V / 5V      
输入 工作电流 15mA Max      @10MHz
储存温度    -55 ﹢125 ℃      
二、温补晶振     温度特性ppm        
工作温度范围 ±0.5 ±1.0 ±1.5 ±2.0  
 -20 ﹢60 ℃     O     O     O     O  
 -30 ﹢70 ℃     O     O     O     O  
 -40 ﹢85 ℃     O     O     O     O  
           
  温补晶振 DIP 25.0X15.0MM TCXO VC-TCXO  
一、温补晶振 技术规格        
指标参数   参数值     备注
  频率范围 1-200MHZ     可定制
  输出波形 Sine TTL HCMOS  
输出 输出幅度 0-7dBm 标准 标准 可定制
特性 输出负载 50Ω 15pF 15pF  
  谐波/占空比  -30dBc 45-55% 45-55%  
  杂散抑制  -70dBc  -70dBc  -70dBc  
  温度特性 ±0.5-±2.0ppm      @25℃
  年老化 ±0.5-±1.0ppm      
  负载特性 ±0.05ppm Max     Load±10%
频率 电源特性 ±0.05ppm Max     VCC ±5%
稳定 相位噪声         
   @10Hz  ≤-120dBc/Hz      
     @100Hz  ≤-135dBc/Hz      
     @1KHz  ≤-140dBc/Hz      @10MHz
     @10KHz  ≤-145dBc/Hz      
     @100KHz  ≤-145dBc/Hz      
频率 调节方式 电压调节/机械微调/NC不带    
调节 压控电压范围 按照客户要求      @电压调节
  频率调节范围 ±2-±8ppm     可定制
电源 工作电压 3.3V / 5V      
输入 工作电流 15mA Max      @10MHz
储存温度    -55 ﹢125 ℃      
二、温补晶振     温度特性ppm        
工作温度范围 ±0.5 ±1.0 ±1.5 ±2.0  
 -20 ﹢60 ℃     O     O     O     O  
 -30 ﹢70 ℃     O     O     O     O  
 -40 ﹢85 ℃     O     O     O     O  
           
  温补晶振 DIP 20.0X20.0MM TCXO VC-TCXO  
一、温补晶振 技术规格        
指标参数   参数值     备注
  频率范围 1-200MHZ     可定制
  输出波形 Sine TTL HCMOS  
输出 输出幅度 0-7dBm 标准 标准 可定制
特性 输出负载 50Ω 15pF 15pF  
  谐波/占空比  -30dBc 45-55% 45-55%  
  杂散抑制  -70dBc  -70dBc  -70dBc  
  温度特性 ±0.5-±2.0ppm      @25℃
  年老化 ±0.5-±1.0ppm      
  负载特性 ±0.05ppm Max     Load±10%
频率 电源特性 ±0.05ppm Max     VCC ±5%
稳定 相位噪声         
   @10Hz  ≤-120dBc/Hz      
     @100Hz  ≤-135dBc/Hz      
     @1KHz  ≤-140dBc/Hz      @10MHz
     @10KHz  ≤-145dBc/Hz      
     @100KHz  ≤-145dBc/Hz      
频率 调节方式 电压调节/机械微调/NC不带    
调节 压控电压范围 按照客户要求      @电压调节
  频率调节范围 ±2-±8ppm     可定制
电源 工作电压 3.3V / 5V      
输入 工作电流 15mA Max      @10MHz
储存温度    -55 ﹢125 ℃      
二、温补晶振     温度特性ppm        
工作温度范围 ±0.5 ±1.0 ±1.5 ±2.0  
 -20 ﹢60 ℃     O     O     O     O  
 -30 ﹢70 ℃     O     O     O     O  
 -40 ﹢85 ℃     O     O     O     O  
           
  温补晶振 DIP 40.0X25.0MM TCXO VC-TCXO  
一、温补晶振 技术规格        
指标参数   参数值     备注
  频率范围 1-200MHZ     可定制
  输出波形 Sine TTL HCMOS  
输出 输出幅度 0-7dBm 标准 标准 可定制
特性 输出负载 50Ω 15pF 15pF  
  谐波/占空比  -30dBc 45-55% 45-55%  
  杂散抑制  -70dBc  -70dBc  -70dBc  
  温度特性 ±0.5-±2.0ppm      @25℃
  年老化 ±0.5-±1.0ppm      
  负载特性 ±0.05ppm Max     Load±10%
频率 电源特性 ±0.05ppm Max     VCC ±5%
稳定 相位噪声         
   @10Hz  ≤-120dBc/Hz      
     @100Hz  ≤-135dBc/Hz      
     @1KHz  ≤-140dBc/Hz      @10MHz
     @10KHz  ≤-145dBc/Hz      
     @100KHz  ≤-145dBc/Hz      
频率 调节方式 电压调节/机械微调/NC不带    
调节 压控电压范围 按照客户要求      @电压调节
  频率调节范围 ±2-±8ppm     可定制
电源 工作电压 3.3V / 5V      
输入 工作电流 15mA Max      @10MHz
储存温度    -55 ﹢125 ℃      
二、温补晶振     温度特性ppm        
工作温度范围 ±0.5 ±1.0 ±1.5 ±2.0  
 -20 ﹢60 ℃     O     O     O     O  
 -30 ﹢70 ℃     O     O     O     O  
 -40 ﹢85 ℃     O     O     O     O  
           
  数字温补晶振 DIP 21.0X13.0MM TCXO VC-TCXO  
一、温补晶振 技术规格        
指标参数   参数值     备注
  频率范围 1-100MHZ     可定制
  输出波形 Sine TTL HCMOS  
输出 输出幅度 0-7dBm 标准 标准 可定制
特性 输出负载 50Ω 15pF 15pF  
  谐波/占空比  -30dBc 45-55% 45-55%  
  杂散抑制  -70dBc  -70dBc  -70dBc  
  温度特性 ±0.05-±0.5ppm      @Fo
  年老化 ±0.5-±1.0ppm      
  负载特性 ±0.05ppm Max     Load±10%
频率 电源特性 ±0.05ppm Max     VCC ±5%
稳定 相位噪声         
   @10Hz  ≤-115dBc/Hz      
     @100Hz  ≤-130dBc/Hz      
     @1KHz  ≤-140dBc/Hz      @10MHz
     @10KHz  ≤-145dBc/Hz      
     @100KHz  ≤-150dBc/Hz      
频率 调节方式 电压调节/机械微调/NC不带    
调节 压控电压范围 按照客户要求      @电压调节
  频率调节范围 ±2-±8ppm     可定制
电源 工作电压 3.3V / 5V      
输入 工作电流 15mA Max      @10MHz
储存温度    -55 ﹢125 ℃      
二、温补晶振     温度特性ppm        
工作温度范围 ±0.05 ±0.1 ±0.2 ±0.3 ±0.5
 -20 ﹢60 ℃     O     O     O     O     O
 -30 ﹢70 ℃     O     O     O     O     O
 -45 ﹢85 ℃     O     O     O     O     O
           
  数字温补晶振 DIP 25.0X15.0MM TCXO VC-TCXO  
一、温补晶振 技术规格        
指标参数   参数值     备注
  频率范围 1-100MHZ     可定制
  输出波形 Sine TTL HCMOS  
输出 输出幅度 0-7dBm 标准 标准 可定制
特性 输出负载 50Ω 15pF 15pF  
  谐波/占空比  -30dBc 45-55% 45-55%  
  杂散抑制  -70dBc  -70dBc  -70dBc  
  温度特性 ±0.05-±0.5ppm      @Fo
  年老化 ±0.5-±1.0ppm      
  负载特性 ±0.05ppm Max     Load±10%
频率 电源特性 ±0.05ppm Max     VCC ±5%
稳定 相位噪声         
   @10Hz  ≤-115dBc/Hz      
     @100Hz  ≤-130dBc/Hz      
     @1KHz  ≤-140dBc/Hz      @10MHz
     @10KHz  ≤-145dBc/Hz      
     @100KHz  ≤-150dBc/Hz      
频率 调节方式 电压调节/机械微调/NC不带    
调节 压控电压范围 按照客户要求      @电压调节
  频率调节范围 ±2-±8ppm     可定制
电源 工作电压 3.3V / 5V      
输入 工作电流 15mA Max      @10MHz
储存温度    -55 ﹢125 ℃      
二、温补晶振     温度特性ppm        
工作温度范围 ±0.05 ±0.1 ±0.2 ±0.3 ±0.5
 -20 ﹢60 ℃     O     O     O     O     O
 -30 ﹢70 ℃     O     O     O     O     O
 -45 ﹢85 ℃     O     O     O     O     O
           
  数字温补晶振 SMD 26.0X16.0MM TCXO VC-TCXO  
一、温补晶振 技术规格        
指标参数   参数值     备注
  频率范围 1-100MHZ     可定制
  输出波形 Sine TTL HCMOS  
输出 输出幅度 0-7dBm 标准 标准 可定制
特性 输出负载 50Ω 15pF 15pF  
  谐波/占空比  -30dBc 45-55% 45-55%  
  杂散抑制  -70dBc  -70dBc  -70dBc  
  温度特性 ±0.05-±0.5ppm      @Fo
  年老化 ±0.5-±1.0ppm      
  负载特性 ±0.05ppm Max     Load±10%
频率 电源特性 ±0.05ppm Max     VCC ±5%
稳定 相位噪声         
   @10Hz  ≤-115dBc/Hz      
     @100Hz  ≤-130dBc/Hz      
     @1KHz  ≤-140dBc/Hz      @10MHz
     @10KHz  ≤-145dBc/Hz      
     @100KHz  ≤-150dBc/Hz      
频率 调节方式 电压调节/机械微调/NC不带    
调节 压控电压范围 按照客户要求      @电压调节
  频率调节范围 ±2-±8ppm     可定制
电源 工作电压 3.3V / 5V      
输入 工作电流 15mA Max      @10MHz
储存温度    -55 ﹢125 ℃      
二、温补晶振     温度特性ppm        
工作温度范围 ±0.05 ±0.1 ±0.2 ±0.3 ±0.5
 -20 ﹢60 ℃     O     O     O     O     O
 -30 ﹢70 ℃     O     O     O     O     O
 -45 ﹢85 ℃     O     O     O     O  
    O

1)标称频率(Nominal frequency
  
振荡器标明的工作频率。
2
)中心频率偏差 (Frequency accuracy)
  
在基准点温度环境(25 ±
2 )和中心控制电压时,测得的频率值与标称频率的偏差。
3
)频率调谐范围(Frequency adjustment range
  
用某种可变元件使振荡器频率能够改变的频率范围。
  
注:调整的目的:
      1
)把频率调到规定调整范围内的任一特定值。
      2
)由于老化和其它条件变化而引起频率偏移后,能够把振荡器频率修正到规定值。
     
调整的方式:
      3
)调节方式有机械调节和电压调节两种
      4
)可变元件通常指变容二极管、多圈电位器等。
4
)工作温度范围 (Operating temp. range)
 
振荡器能够正常工作,其频率及其它输出信号性能均不超过规定的允许偏差的温度范围。

 
注:1)工作温度范围的下限越低,振荡器功耗越大,同时频率温度稳定度越难实现。
      2
)工作温度范围的上限越高,晶体拐点设置越高, 晶体成本上升越多。
5
)压控特性(电压范围、极性、线性、压控输入阻抗)
当控制电压变化时,引起的振荡器输出的频率、波形特征等电特性的变化。
注:1)电压范围:用来调节频率的电压的可调范围。常见的有03.3V,  0.33.0V, 0 5V, 0.54.5V等。 
    2
)压控范围:压控电压在电压范围内变化的时候,振荡器的频率能够变化的范围。

    3
)极性:当振荡器的频率随压控电压的增加而增加的时候,压控极性为正极性,反之为负极性。
    4
)线性度:理想的压控电压和频率变化量的关系是线性的, 但实际上总会有所偏差, 这个偏差就是
      
表征理想程度的压控线性度, 通常用百分比表示。
    5
)如果系统不能给出稳定的电压信号, 或者对输出频率有严格的控制要求时, 通常振荡器可以自己给
      
出经过稳压后的精准的电压供压控电压用, 这个精准的电压就是参考电压。
6
)输出波形(Output waveform    正弦: 负载能力

  
方波: 上升沿时间、下降沿时间、占空比、高/低电平
振荡器工作时输出的波形及波形的具体特性。
注:常见输出波形及输出特性指标:
  1
)正弦波(Sine):谐波抑制(Harmonic attenuation)、
    
杂波抑制(Noise attenuation )、负载(Load)、输出幅度(Output level)。
  2
)削峰正弦波(Clipping Sine):负载(Load)、输出幅度(Output level)。
  3
)方波(Square):又分为MOSTTL两类输出。
    
负载(Load)、占空比(Duty cycle)、上升/下降时间(Rise/fall time)、
    
高低电平(“
1 and 0 level)。
7
)工作电流、功耗 (Input current, power consumption)
8
)频率温度稳定度
(Frequency stability over temp.)
  
其它条件不变时,由于振荡器工作在规定的温度范围内引起的相对于基准温度时的频率偏移。

9
)负载变化频率稳定度 (Frequency stability Vs voltage+/-5% )
  
其它条件不变时,由于负载阻抗在规定范围内变化引起的相对于规定的负载条件时的频率偏移。

10
)电源变化频率稳定度 (Frequency stability Vs Load+/-10% )
   
其它条件不变时,由于电源电压在规定范围内变化引起的相对于规定的电源电压时的频率偏移。

11
)老化率(长期频率稳定度)(Aging , long term stability)
   
振荡器频率与时间之间的关系。

   
: 这种频率漂移是石英晶体或/和电路中的其它元器件的长期变化造成的,可以用规定时间间隔内平均频率的相对变化来表示。
      
频率老化是不可避免的。同时方向可能为正也可能为负。
      
又称为日老化率、长稳等。
12
)短期频率稳定度(Short term stability)
     
振荡器短时间内的频率随机起伏程度。

   
:以秒为单位,又称为秒基稳定度、秒稳、短稳等。
13
)相位噪声(Phase noise)
   
振荡器短期频率稳定度的频域量度,通常用相应起伏功率谱密度SΨ(f) 表示,其中相位起伏函数为Ψ(f)=2πFt-2π
F0t
   
:抖动是振荡器短期频率稳定度的时域量度,实际上和相位噪声都是频率短期稳定度的一种度量方式。

14)
其他指标:功耗,开机特性,重现性,可工作温度范围,抗机械冲击性能,抗电脉冲冲击性能,存储温度范围, 重力加速度频率稳定度,恒温报警,三态控制.

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